Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7105

Версия для печати N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7105TRPBF 2980 45.55 руб. 

Описание IRF7105

Микросхема IRF7105 сборка из двух полевых транзисторов IRF7105 может применяться для управления относительно мощной нагрузкой например маломощный коллекторный двигатель. Так же  для управления шаговыми двигателями, как униполярными так и биполярными. Малогабаритный корпус SOIC 8 дает возможность применять микросхему IRF7105 в миниатюрных устройствах.

Технические характеристики IRF7105

Параметр
Значение
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1A, 10V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.5A, 2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 330pF @ 15V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ATMEGA32A-AU 1 402.34 руб. 
LM2941S 18 Заказ радиодеталей
MCP3201-BI/SN 56 204.61 руб. 
SK16 (DIOTEC) 16916 6.14 руб. 
LXE1710

N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Также в этом файле: IRF7105

Производитель:
Microsemi Corporation
//www.microsemi.com

irf7105.pdf
302,79kB
11стр.