IRF7104PBF

Сдвоенные P-канальный с упр. логи, Rоткр = 0.25 Ом, Id(25°C) = -2.3 A

Технические характеристики IRF7104PBF

Параметр
Значение
Power - Max 2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru