IRF5852TRPBF
2N-канальный 20В 2.7А Micro6Технические характеристики IRF5852TRPBF
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Power - Max | 960mW |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru