Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDC6302P

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
FDC6302P 5 Заказ радиодеталей

Технические характеристики FDC6302P

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 120mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 11pF @ 10V
Power - Max 700mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус 6-SSOT
Product Change Notification Design/Process Change Notification 11/May/2007 Mold Compound Change 0
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.