Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STP6NK60Z

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A)

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP6NK60Z (ST MICROELECTRONICS) 8 159.12 руб. 

Технические характеристики STP6NK60Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 905pF @ 25V
Power - Max 110W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
STP6NK60Z
MOSFET

N-channel 600 V - 1 ? - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP6NK60Z.pdf
443 Кб