Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STN1NK60Z

Версия для печати Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK

Технические характеристики STN1NK60Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 400mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 300mA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 94pF @ 25V
Power - Max 3.3W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
STN1NK60Z
MOSFET

N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD1LNK60Z-1, STQ1NK60ZR-AP, STN1NK60Z.pdf
460.9 Кб