SI4459ADY-T1-GE3


Наименование
Кол-во
Цена
SI4459ADY-T1-GE3 72 Заказ радиодеталей

Описание SI4459ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Технические характеристики SI4459ADY-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 29A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6000pF @ 15V
Power - Max 7.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru