Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2301CDS-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2301CDS-T1-GE3 (VISHAY) 736 14.17 руб. 

Технические характеристики SI2301CDS-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 405pF @ 10V
Power - Max 1.6W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.