Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PMV213SN

Версия для печати N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet

Наименование
Кол-во
Цена
 
PMV213SN 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики PMV213SN

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 330pF @ 20V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PMV213SN
MOSFET

N-канальный uTrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PMV213SN.pdf
247.3 Кб