Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBF170

Версия для печати N-channel enhancement mode field effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBF170 (HOTTECH) 6904 3.93 руб. 

Технические характеристики MMBF170

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 500mA
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 40pF @ 10V
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
MMBF170LT1
Полевые МОП транзисторы

Power MOSFET 500 mA, 60V N-Channel

Также в этом файле: MMBF170LT1G, MMBF170LT3, MMBF170LT3G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbf170lt1.pdf
64.46Kb
4стр.