Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLML6302

Версия для печати Транзистор полевой P-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLML6302 (HOTTECH) 69600 8.27 руб. 

Технические характеристики IRLML6302

Параметр
Значение
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 780mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 97pF @ 15V
Power - Max 540mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MCP73812T-420I/OT 711 159.14 руб. 
PBS-16 (KLS) 4800 11.77 руб. 
IRLML6302
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLML6302.pdf
280.1 Кб