IRLML5103TR
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, P=540mW, -55 to +150C)Технические характеристики IRLML5103TR
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 760mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru