IRLML2803TR

N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW), управление логич. уровнем.

Наименование
Кол-во
Цена
IRLML2803TR 72 19.01

Описание IRLML2803TR

Силовой МОП-транзистор N-канальный
Vси = 30 В,
Rоткр = 0.25 Ом,
Id(25oC) = 1.2 A
Корпус MICRO 3 (SOT-23)

Технические характеристики IRLML2803TR

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 910mA, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 85pF @ 25V
Power - Max 540mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru