IRLML2502TR

Версия для печати N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)

Тип: Полевые транзисторы общего применения;
Тип канала: N
Uси,max, В: 20;
Iс,max, А: 4,2;
Rси, Ом: 0,045;

Параметр	Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 15V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.