Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFZ34NS

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFZ34NS 95 137.28 руб. 

Технические характеристики IRFZ34NS

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 29A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFZ34NS
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFZ34NL.pdf
297 Кб