IRFZ24N

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W

Наименование	Кол-во	Цена
IRFZ24N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	85.68 руб.

Описание IRFZ24N

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Максимальный ток стока17А
Максимальное напряжение сток-исток55V
Сопротивление сток-исток (откр.)< 0,07 om
Максимальная мощность рассеивания45W
Допустимое напряжение на затворе±20V
Пороговое напряжение на затворе+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 5/19nS (тип.)
Время восстановления диода 56nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 370/140pF
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175oC

Технические характеристики IRFZ24N

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	500pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
IRF9Z24N	1520	55.57 руб.
IRF9Z24NPBF (INFINEON)	800	45.01 руб.
IRF9Z34N	616	37.18 руб.

IRFZ24N

N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

irfz24n.pdf
68.09Kb
8стр.