IRFR9N20DPBF
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRFR9N20DPBF (INFINEON) | 42 | 74.39 |
Технические характеристики IRFR9N20DPBF
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Power - Max | 86W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru