Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPC60PBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор N-канальный (Vси = 600В, Rоткр = 0.4Ом, Id(25°C) = 16A)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPC60PBF 16 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRFPC60PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 16A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3900pF @ 25V
Power - Max 280W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFPC60PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPC60PBF.pdf
863.9 Кб