Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP90N20D

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W)

Технические характеристики IRFP90N20D

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 56A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 94A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6040pF @ 25V
Power - Max 580W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
CD4049UBCN 62 31.68 руб. 
MOC3023 (LITE-ON) 2088 25.15 руб. 
IRFP90N20D
Дискретные сигналы

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfp90n20d.pdf
90.88Kb
8стр.