Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP250N

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP250N 288 89.35 руб. 

Технические характеристики IRFP250N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 123nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2159pF @ 25V
Power - Max 214W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IR2153 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 8 232.56 руб. 
IRFI840G (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 177.48 руб. 
КД2999А (ФОТОН) 23 120.00 руб. 
IRFP250N
N-канальные транзисторные модули

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfp250n.pdf
122.33Kb
8стр.