IRFBC30AS

Технические характеристики IRFBC30AS

Параметр
Значение
Корпус D2PAK
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 74W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru