Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBC30AS

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC30AS

Параметр
Значение
Корпус D2PAK
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 74W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1Д507А (АЛЕКСАНДРОВ) 4336 4.80 руб. 
IRFBC30AS
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) max=2.2ohm, Id=3.6A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfbc30as.pdf
148.13Kb
10стр.