Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFB17N50L

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Технические характеристики IRFB17N50L

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 9.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 16A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2760pF @ 25V
Power - Max 220W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFB17N50L
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfb17n50l.pdf
85.3Kb
8стр.