Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF840SPBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 8A, 125W, 0.85R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF840SPBF (VISHAY) 128 177.12 руб. 

Технические характеристики IRF840SPBF

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 3.1W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF840SPBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF840SPBF.pdf
666 Кб