Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF820A

Версия для печати Транзистор полевой

Технические характеристики IRF820A

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
6П6С 3 504.00 руб. 
IRF820AL
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=3.0ohm, Id=2.5A)

Также в этом файле: IRF820AS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf820al.pdf
133.85Kb
10стр.