Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7809AV

Версия для печати Транзистор полевой SMD N-канальный 30В 13.3А

Технические характеристики IRF7809AV

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 15A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 13.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 62nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3780pF @ 16V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MCP100-315DI/TO 240 Заказ радиодеталей
КР1211ЕУ2А (ДОДЭКА) 86 91.20 руб. 
IRF7809AV
Дискретные сигналы

N-channel Application-specific Mosfets

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7809av.pdf
114.62Kb
8стр.