Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7456

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Технические характеристики IRF7456

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 16A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 62nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3640pF @ 15V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF7456

20V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7456[1].pdf
107.31Kb
8стр.