IRF6644TR1
Nкан. 100В 10.3А, DirectFETТехнические характеристики IRF6644TR1
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 2.8W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MN |
| Корпус | DIRECTFET™ MN |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru