Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF640S

Версия для печати N-канальный 200В 18А

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF640S (INTERNATIONAL RECTIFIER) 187 108.00 руб. 

Технические характеристики IRF640S

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 18A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 130W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BLM21AG102SN1D (MURATA) 12800 3.54 руб. 
DS1307Z+T&R (MAXIM) 8186 67.20 руб. 
IRF640S

N - Channel Mesh Overlay Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf640s.pdf
86.49Kb
8стр.