IRF640N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF640N	2520	31.91 руб.
IRF640NPBF (INFINEON)	3040	76.75 руб.

Описание IRF640N

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Максимальный ток стока 18А
Максимальное напряжение сток-исток 200V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,15 om (тип. 0,48 om)
Максимальная мощность рассеивания 150W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/23nS (тип.)
Время восстановления диода 167nS (тип.)
Корпус IRF640N TO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175^oC
Аналог КП750А

Технические характеристики IRF640N

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1160pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
IRF540N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	400	146.88 руб.
TDA7294V (ST MICROELECTRONICS)	26	587.52 руб.
TL494CN (MOTOROLA)	80	61.20 руб.
TL494CN (TEXAS INSTRUMENTS)	80	61.20 руб.
КТ503А	1112	3.78 руб.
КТ827А (ФРЯЗИНО)	478	564.00 руб.

IRF640N
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.15ohm, Id=18A)

Также в этом файле: IRF640NL, IRF640NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf640n.pdf
155.41Kb
11стр.