IRF2805S
Hexfet power mosfets discrete n-channelТехнические характеристики IRF2805S
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 200W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 135A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 104A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru