Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF2805S

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Технические характеристики IRF2805S

Параметр
Значение
Корпус D2PAK
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 200W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5110pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 230nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 135A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 104A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847C 115920 1.58 руб. (от 100 шт.  0.79 руб.)
BC857C (HOTTECH) 136000 1.18 руб. 
HC12G-2P/002 (JL WORLD) 1120 129.89 руб. 
IRF2805L
Дискретные сигналы

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF2805S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf2805l.pdf
224.83Kb
11стр.