Параметр |
Значение |
---|---|
Корпус | D2PAK |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Тип монтажа | Поверхностный |
Power - Max | 200W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 135A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 104A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BC847C | 115920 | 1.58 руб. (от 100 шт. 0.79 руб.) | |
BC857C (HOTTECH) | 136000 | 1.18 руб. | |
HC12G-2P/002 (JL WORLD) | 1120 | 129.89 руб. | |
IRF2805L Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF2805S
Производитель:
|
||