Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Корпус | TO-262 |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 2.4W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 60A, 10V |
|
IRF1104S Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1104S
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
