Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQPF6N90C

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Технические характеристики FQPF6N90C

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1770pF @ 25V
Power - Max 56W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220F
Product Change Notification Design/Process Change Notification 26/June/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
14K431 20000 8.14 руб. 
1N4746A 15680 2.15 руб. 
TRKA-12VDC-FD-AP-R (TTI) 56 288.00 руб. 
Д243Б 146 193.25 руб. 
FQP6N90C

900V N-Channel MOSFET

Также в этом файле: FQPF6N90C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

fqp6n90c.pdf
860.97Kb
10стр.