Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

CPC5602C

Версия для печати

Технические характеристики CPC5602C

Параметр
Значение
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 50mA, 350mV
FET Feature Depletion Mode
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 300pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 350V
Корпус SOT-223
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 2.5W
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
CPC5602C

N Channel Depletion Mode FET

Также в этом файле: CPC5602CTR, CPC5602C-R2.1

Производитель:
Clare, Inc.
//www.clare.com

cpc5602c[1].pdf
377.17Kb
3стр.