Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SK3565

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 45W

Технические характеристики 2SK3565

Параметр
Значение
Корпус TO-220SIS
Корпус (размер) TO-220 (SIS)
Power - Max 45W
Тип монтажа Выводной
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 3A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ТЕРМОУСАДКА Ф1.5 ЖЕЛТЫЙ 1480 8.29 руб. 
ТЕРМОУСАДКА Ф3 СИНИЙ 200 10.80 руб. 
2SK3565

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk3565.pdf
313.83Kb
3стр.