Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SK2847

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 900V, 8A, 90W

Технические характеристики 2SK2847

Параметр
Значение
Корпус TO-3P(N)IS
Корпус (размер) 2-16F1B
Тип монтажа Выводной
Power - Max 85W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SK2847
Полевые МОП транзисторы

N Channel Mos Type High Speed, High Current Switching, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk2847.pdf
288.88Kb
5стр.