Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SK1530

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)

Технические характеристики 2SK1530

Параметр
Значение
Корпус TO-3P(L)
Корпус (размер) TO-3P(L) (2-21F1B)
Тип монтажа Выводной
Power - Max 150W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 900pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SK1530
Полевые МОП транзисторы

N Channel Mos Type (high Power Amplifier Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk1530.pdf
184.19Kb
3стр.