Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SJ162

Версия для печати Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)

Технические характеристики 2SJ162

Параметр
Значение
Корпус TO-3P
Корпус (размер) TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 100W
Тип монтажа Выводной
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 160V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SJ16x
Полевые МОП транзисторы

Silicon P-channel Mos Fet

Также в этом файле: 2SJ162

Производитель:
Hitachi Semiconductor
//www.hitachi.com

2sj16x.pdf
43.36Kb
8стр.