Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002K

Версия для печати N-channel enhancement mode field effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002K 20240 1.24 руб. 

Технические характеристики 2N7002K

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 115mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 25V
Power - Max 350mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002K-T1-GE3 (VISHAY) 8000 11.81 руб. 
SD103AW 24000 1.84 руб. (от 100 шт.  0.92 руб.)
2N7002K
Полевые N-канальные транзисторы

N-channel 60-v (d-s) Mosfet

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

2n7002k.pdf
229.89Kb
3стр.