ZXTDB2M832TA
Технические характеристики ZXTDB2M832TA
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4.5A, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V |
| Power - Max | 1.7W |
| Frequency - Transition | 140MHz, 180MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-MLP |
| Корпус | 8-MLP (3x2) |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru