Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

ZXTDB2M832TA

Версия для печати

Технические характеристики ZXTDB2M832TA

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 4.5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
Power - Max 1.7W
Frequency - Transition 140MHz, 180MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-MLP
Корпус 8-MLP (3x2)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
ZXTDB2M832
Универсальные биполярные NPN транзисторы

Complementary Dual 20v Low Saturation Transistor

Также в этом файле: ZXTDB2M832TA

Производитель:
Zetex Semiconductors
//www.zetex.com

zxtdb2m832.pdf
266.43Kb
8стр.