Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PUMT1

Версия для печати

Технические характеристики PUMT1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Power - Max 300mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
FZT605TA 40 Заказ радиодеталей
PUMT1
Универсальные биполярные транзисторы

Pnp General Purpose Double Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pumt1.pdf
47.54Kb
8стр.