Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBSS4240DPN

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4240DPN

Параметр
Значение
Transistor Type NPN, PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max) 1.35A, 1.1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 200mA, 2A / 530mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Power - Max 1.1W
Frequency - Transition 150MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-74, SOT-457
Корпус 6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBSS4240DPN

40V Low Vcesat Npn / pnp Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbss4240dpn.pdf
110.54Kb
12стр.