Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBSS4160DPN

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4160DPN

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 870mA, 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Power - Max 420mW
Frequency - Transition 220MHz, 185MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-74, SOT-457
Корпус 6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBSS4160DPN
Биполярные транзисторы

60 V, 1A NPN / PNP low VCEsat (BISS) transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbss4160dpn.pdf
122.82Kb
14стр.