Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBSS2515YPN

Версия для печати

Технические характеристики PBSS2515YPN

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Transistor Type NPN, PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 2V
Power - Max 300mW
Frequency - Transition 420MHz, 280MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBSS2515YPN
Low VCE(sat) Bipolar Transistors

15V Low Vcesat Npn / pnp Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbss2515ypn.pdf
91.79Kb
12стр.