Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBSS2515VS

Версия для печати

Технические характеристики PBSS2515VS

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 2V
Power - Max 200mW
Frequency - Transition 420MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SOT-666
Корпус SOT-666
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBSS2515VS
Low VCE(sat) Bipolar Transistors

15V low VCEsat NPN double transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbss2515vs.pdf
71.78Kb
12стр.