Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MBT3906DW1T1

Версия для печати

Технические характеристики MBT3906DW1T1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Power - Max 150mW
Frequency - Transition 250MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007 Wire Change 08/Jun
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
MBT3906DW1T1

Dual General Purpose Transistor

Также в этом файле: MBT3906DW1T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mbt3906dw1t1.pdf
104.53Kb
6стр.