Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC858CDW1T1G

Версия для печати

Технические характеристики BC858CDW1T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification Product Discontinuation 03/Apr/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.