Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC857S

Версия для печати

Технические характеристики BC857S

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Power - Max 300mW
Frequency - Transition 200MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SC-70-6
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847BS (HOTTECH) 2050 2.54 руб. 
BC857S

PNP Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bc857s[1].pdf
161.77Kb
6стр.